内存时序怎样设置？

我认为CPU-Z的是对的.有时内存因各种原因是不会运行在你定的频率下的.时序应与你HY的一样,3 3 8也是网上推荐的超频时序.AMD主板的内存频率是可以在主板里调的.两条都是DDR400的 就试一下调到200M看是否能开机.我的KINGMAX DDR400 512与旧的HY DDR333在一起超到了233用还行,不知你的行不行了.==你会不会用跳线用还原主板的初始值,不会的当我上面的没说过.你设为 3 3 8 再把频率设为200M试下.

　　理论上讲，这些数字越小，内存工作的效率越高，但同时增加了不稳定的因素。　　就和你跑越得越越容易摔倒，是一个道理。但跑步高手和普通人是差距很大的。跑步高手可以跑得很快都不摔倒，普通人就很难做到。　　所以，这个时序，很考验内存的体质。体质强悍的内存，可以把时序设得很苛刻，也能稳定工作。当然，要想到自己的内存的最佳时序，需要反复测试，是个很费时间的事。　　另外，也并非越大越稳定，虽然多数情况是如此，但也有例外。因为数字过大，有的内存正常的工作状态被破坏，也会出问题的。我原来有一条内存，在cl 2.5下正常工作，设为3反而不稳定。

N＝200x9÷（533÷2）＝6.7，向上取整＝7。内存实际频率＝250x9÷7＝321（DDR2 642）。2 时序一般是根据SPD信息自动设定，也可以手动修改。内存时序各个厂家的都不一样的。

猜测的出去额

答案:11. 不要在十六七岁谈恋爱，因为那个人会是你一生最难忘记的人。

当然设置在1333上，要是设置成1600容易引起不稳定

内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。扩展资料：内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。下面是几种参数的设置方式：1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，应当尽量把CAS参数调低。2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数最好设在5－11之间。